近日，由宁波江丰电子材料股份有限公司与浙江大学联合培养的博士后黄棋淘、边逸军分别进行了开题报告和出站答辩。
受疫情影响，本次评审会通过线上云会议的方式召开，参加会议的有：浙江大学博士生导师杨辉教授，浙江大学樊先平教授，浙江省冶金研究院院长、正高级工程师顾小龙，余姚市人社局专技科科长蒋颖，以及公司党委书记、正高级工程师王学泽，全球技术服务部总监、正高级工程师钟伟华博士等专家。
会议上，首先由黄棋淘博士就《40～5nm 技术节点用 0.65" 超长寿命 Ta靶材的开发与应用推广》的研究课题进行了详细汇报，考核专家组在认真听取了报告陈述后，针对此项目研究的必要性与创新点及其研究路线、方法的可行性做了详细点评，对项目理论与实际相结合的切入点给出明确的指导性意见，并勉励黄博士要用科学、严谨的态度注意研究重点，同时结合公司丰富的靶材制造经验，把握研究的深度和进度。最后经评审专家组讨论，一致同意通过黄博士的开题答辩。
边逸军博士对《超高纯高致密度钨靶制备和焊接工艺的研究》的工作报告进行了详细阐述，考核专家组针对其研究内容从实验设计、研究方法、数据处理、结果讨论等方面进行了细致的分析，并对项目中研究技术应用提出了指导性建议，同时肯定了其研究成果。经专家小组讨论，边逸军博士在站期间表现优秀，成果创新显著，考核等级优秀，一致同意其出站。
建站以来，江丰电子已累计有5名博士后顺利出站。通过与高校建立合作的模式，不仅完善了公司高层次人才的培养机制，对科研水平的提升也起着重要意义。未来，江丰电子将持续以科技创新为动力，夯实“产、学、研”发展道路，为半导体行业培养更多的专业人才。
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